Модуль оперативной памяти Kingston типа DDR3 обеспечивает увеличенную рабочую частоту (по сравнению с DDR2) при сниженном тепловыделении и экономном энергопотреблении. Напряжение питания при работе составляет 1,5 В. В модуле также имеется 16 чипов с дву
Ваш регион: Россия, Москва
Модуль оперативной памяти Kingston типа DDR3 обеспечивает увеличенную рабочую частоту (по сравнению с DDR2) при сниженном тепловыделении и экономном энергопотреблении. Напряжение питания при работе составляет 1,5 В. В модуле также имеется 16 чипов с дву
Технические характеристики
Пропускная способность, Мб/с12800
CAS Latency (CL)11 тактов
Тайминги11-11-11
RAS to CAS Delay (tRCD)11 тактов
Row Precharge Delay (tRP)11 тактов
Active to Precharge Delay (tRAS)43 такта
Напряжение питания, В1.5 В
Тип поставкиRetail
Год выпуска2016
Страна-изготовительКитай
ПартномерKVR16N11/8
Гарантия10 лет
РадиаторНет
Размеры, мм133.35 x 31.25
Суммарный объем памяти8 ГБ
Емкость одного модуля8 ГБ
Тип памятиDDR3
Тактовая частота, МГц1600
Количество модулей в комплекте1
Форм-факторDIMM
Поддерживаемые многоканальные режимыДвухканальный
Название моделиValueRAM DDR3 1600 МГц
Низкопрофильная (Low Profile)Нет
ПодсветкаНет
